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13761090949
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Endereço
5º andar, Edifício Internacional Helen, 778 Baoshan Road, Hongkou, Xangai
Xangai Giant Tecnologia Co., Ltd.
13761090949
5º andar, Edifício Internacional Helen, 778 Baoshan Road, Hongkou, Xangai
硒化锗晶体 GeSe (selêneto de germânio)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数: a = 0,383 nm, b = 0,440 nm, c = 1,078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度: >99.995%

Difração de raios-X em um único cristal GeSe alinhado ao longo do plano (100). A DRX foi realizada a temperatura ambiente usando um D8 Venture Bruker. Os 4 picos XRD correspondem, da esquerda para a direita, a (h00) com h = 2, 4, 6, 8

Difração de raios-X em pó (XRD) de um único cristal GeSe. A difração de raios-X foi realizada a temperatura ambiente usando um D8 Venture Bruker.

Análise estoquiométrica de um único cristal GeSe por espectroscopia de raios-X dispersiva de energia (EDX).

Espectro Raman de um único cristal GeSe. A medição foi realizada com um sistema Raman de 785 nm a temperatura ambiente.